Si
ケイ素・シリコン
Silicon
- 元素名
- ケイ素
- 英語名
- シリコン(Silicon)
- 元素番号
- 14番
Dicing Before Grinding
DBG
Si基板の対象デバイス
シリコンのDBG加工は、チップ積層をおこなうモバイル機器向けのメモリー製造に多く用いられる他、モバイル機器用マイコンやICカード用チップなど、低背化のため薄いチップを作る必要のある、幅広い半導体デバイス製造に適応します。
Si基板のDBG加工結果の特徴
ウェーハ割れリスクの低減
ウェーハの割れリスクは大きさや薄さに比例するため、現在の半導体デバイス製造において主流のφ300mmウェーハを薄く加工する場合には、破損への対策が特に大切になります。DBG加工は、ウェーハ薄化研削加工とチップ分割加工が同時におこなわれ、薄くなったウェーハを搬送する必要が無いため、ウェーハ割れリスクを大幅に低減することが可能です。
裏面チッピング（チップ裏面の微小なカケ）の低減
DBGプロセスではブレードダイシング（砥石による切削加工）でチップ分割をおこなわず、グラインディング（砥石による研削加工）によりチップ分割をおこないます。フルカットダイシングをおこなわないDBGでは、ブレードでチップ分割をおこなわないため、裏面チッピングの大幅な低減が可能です。
抗折強度の向上
面チッピングの低減により、抗折強度が向上します。
DBGプロセスは、TGMプロセスにドライポリッシュ（乾式研磨）を施したウェーハよりも良好な抗折強度が得られています。
