Dicing Before Grinding

DBG

Dicing Before Grinding（DBG）加工の概要

従来のシリコン半導体製造パッケージングプロセスでは、グラインディング（砥石による研削加工）でウェーハを薄くした後、ダイシング（砥石による切削加工）によってチップ分割をおこなっていました。半導体製造の主流がφ300mmウェーハへ大型化し、また低背化・高集積化のためのさらなるウェーハの薄化加工がおこなわれるようになったため、グラインディング時のウェーハ割れリスクが顕在化してきました。

この課題を解決するため開発した加工プロセスがDBG（Dicing Before Grinding）です。DBGでは先にダイシングでウェーハに溝入れ加工をおこない、グラインディングで薄化加工とチップ分割を同時におこないます。このプロセスは薄化加工後のウェーハを搬送することがないため、ウェーハの割れリスクを大幅に低減します。この他にも、ダイシング工程がハーフカット（溝入れ）のみで完結するため、カットスピードの向上や裏面チッピング（チップ裏面の微小なカケ）の低減といったメリットも期待できます。
またフラッシュメモリなどの、高集積化のためにチップを重ねて（チップスタック）組み立てるデバイスでは、チップを接着するためのDAF（Die Attach Film）をウェーハ裏面に貼付することがあります。こういった場合は、DAFの切断加工のためにレーザソーを併用することもあります。

使用する精密加工装置

使用する精密加工ツール