インジウム燐（InP）の元素、成分、組成など

インジウム燐は、常温で安定した閃亜鉛鉱型の結晶構造をとる、インジウム（In）とリン（P）の化合物で、金属光沢のある青灰色をしています。III-V族の化合物半導体で、一般的な半導体材料であるシリコン（Si）にくらべて電子移動度が高く、バンドギャップが広いため、高い動作周波数を有しています。半導体業界ではインジウム燐（InP）と呼ばれることが多いですが、元素名はリン化インジウムです。

インジウム燐（InP）の特徴

インジウム燐（InP）は代表的な半導体素材のシリコン（Si）にくらべ電子移動度が4倍速く、高電子移動度トランジスタ（HEMT: High Electron Mobility Transistor）の基板として用いられます。またインジウム燐（InP）は直接遷移型の半導体であり、赤外発光デバイスの基板にも使用されます。
インジウム燐（InP）は単結晶基板上に、インジウム燐（InP）と格子整合する（格子定数が同じとなる）材料の薄膜をエピタキシャル成長することができます。ガリウム砒素（ヒ化ガリウム、GaAs）やガリウム燐（リン化ガリウム、GaP）と比べて格子定数が大きいため、たとえばヒ化インジウムガリウム（InGaAs）、インジウムガリウムヒ素リン（InGaAsP）といった材料をインジウム燐（InP）基板上にエピタキシャル成長します。

インジウム燐（InP）の製造方法

インジウム燐（InP）の単結晶基板はLEC（Liquid Encapsulated Czochralski）法と呼ばれる液体封止による引き上げ成長法などで製造されます。インジウム燐（InP）は、ガリウム砒素（ヒ化ガリウム、GaAs）と比較して結晶の熱伝導率が低いため温度制御が難しく、高品質な単結晶成長が難しい傾向にあります。

インジウム燐（InP）の応用デバイス

インジウム燐（InP）は直接遷移型の半導体であり、インジウム燐（InP）の上に成長させたエピタキシャル基板とあわせて、半導体レーザー、受光素子、光通信機器のモジュールなどに採用されています。
高周波デバイスとして90GHz以上のミリ波帯で発振するデバイスに、インジウム燐（InP）の半導体が活用されています。

応用デバイスを作る上でのディスコのソリューション

インジウム燐（InP）の薄化加工や個片化加工にディスコのダイシングソー（砥石による切削加工機）、グラインダ（砥石による研削加工機）、ポリッシャ（研磨パッドによる湿式研磨加工）、レーザソー（レーザーによる切削加工機）が用いられています。